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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N5550TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2N5550TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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SKU: E10-255605-BP-134662 Kategorie: Marke:

ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2N5550TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 140 V · Leistung (max) P(TOT): 625 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 300 MHz · VCE Sättigung (max.): 250 mV

Marke

onsemi
Art.-Nr.

2N5550TA
EAN

k.A.

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