STMicroelectronics Transistor (BJT) – diskret BD912 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
Transistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -15 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: -5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): -1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -100 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 3 MHz · VCE Sättigung (max.): -3 V
Marke | ST Microelectronics |
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Art.-Nr. | BD912 |
EAN | k.A. |
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